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BZT52C6V8-13-G 零件图片(仅供参考)

BZT52C6V8-13-G
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BZT52C6V8-13-G 规格参数

您是否在寻找一个能立即提升电路稳定性的经典解决方案?BZT52C6V8-13-G齐纳二极管,正是为您而准备的可靠之选。它源自Diodes Incorporated的成熟技术,专注于一件事:为您提供精准、可靠的电压箝位与稳压保护。

这颗芯片能让您的设计轻松应对电压波动风险。它如同一个自动的“电压卫士”,当电路中出现过压尖峰时,能迅速动作,将电压稳定在安全值,从而保护后方昂贵的核心IC免受损害。无论是用于创建简单的电压基准,还是作为瞬态抑制器,它都能以极高的效率融入您的电路,让您的产品运行更加稳健可靠。

  • 型号:BZT52C6V8-13-G
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER
  • 系列:*
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 阻抗(最大值)(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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BZT52C6V8-13-G 基本参数:

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