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BZT52C8V2-7-F 零件图片(仅供参考)

BZT52C8V2-7-F
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BZT52C8V2-7-F 规格参数

还在为电路中的电压基准不够精准稳定而烦恼吗?BZT52C8V2-7-F齐纳二极管专为解决这一问题而生。它能为您提供精准的8.2V稳压,容差控制在±6%以内,让您的精密电路始终工作在最佳电压点,彻底告别因电压漂移导致的性能下降。

这颗芯片能轻松胜任电压钳位、基准源生成和瞬态保护等多种任务。其500mW的功率处理能力和宽达-65°C至150°C的工作温度范围,让您的产品即使在恶劣环境下也能高效稳定运行。采用紧凑的SOD-123表面贴装封装,它还能帮您节省宝贵的电路板空间,简化生产流程。

  • 型号:BZT52C8V2-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • BZT52C8V2-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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BZT52C8V2-7-F 基本参数:

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