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BZT52C8V2-7-G 零件图片(仅供参考)

BZT52C8V2-7-G
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BZT52C8V2-7-G 规格参数

您是否在寻找一种简单、高效且经济的方式来为电路提供稳定的电压参考或基础保护?BZT52C8V2-7-G齐纳二极管正是为您而设计。它能精准地将电压钳位在预设值,有效吸收意外的电压尖峰,为核心敏感元器件提供坚实的保护屏障,让您的设计免受电压波动干扰。

这颗来自Diodes Incorporated的经典元件,让您能够轻松实现基础的电压调节和瞬态抑制功能。其紧凑的设计和可靠的性能,非常适合集成到空间有限的便携设备、电源模块或各种需要稳定电压基准的电子系统中,帮助您提升产品的整体可靠性与耐用性。

  • 型号:BZT52C8V2-7-G
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER
  • 系列:*
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 阻抗(最大值)(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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BZT52C8V2-7-G 基本参数:

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