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您是否在寻找一颗能精准“锚定”电压，为电路核心提供坚实保护的微型卫士？BZT52HC6V8WF-7齐纳二极管正是您的理想之选。它能在高达375mW的功率下，将电压稳稳钳位在6.8V，误差极小，有效吸收浪涌，保护后级昂贵的IC免受损坏。

这颗芯片能让您的设计工作变得无比轻松高效。其SOD-123F超小封装为您节省宝贵的PCB空间，适合高密度设计；宽达-65°C至150°C的工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑的挑战。无论是用于电源轨的稳压、信号线的箝位，还是生成参考电压，它都能可靠工作，显著提升系统整体稳定性和寿命。

• 型号:BZT52HC6V8WF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-123F
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 6.8V 375MW SOD123F
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):6.8 V
• 容差:±5.88%
• 功率 - 最大值:375 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):8 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOD-123F
• 供应商器件封装:SOD-123F
• BZT52HC6V8WF-7，Diodes产品一站式供应商。