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您正在寻找一颗能精准“锚定”电压、为电路提供坚实保护的微型卫士吗？BZT585B11TQ-7齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供高度稳定的11V基准电压，容差精细至±2%，确保您的电源管理、信号调节或电压箝位电路始终工作在预设的“安全区”，有效防止过压冲击对精密元件的损害。

这颗芯片让您轻松实现高性能设计。其超低的动态阻抗和反向泄漏电流，意味着更纯净的电压基准和更低的自身功耗。同时，它采用微型SOD-523封装，节省宝贵的电路板空间，并拥有从-65°C到150°C的极端温度工作能力，让您的产品无论是面对严寒还是酷热，都能保持稳定可靠的出色表现。

• 型号:BZT585B11TQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-523
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 11V 350MW SOD523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):11 V
• 容差:±2%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):10 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-79，SOD-523
• 供应商器件封装:SOD-523
• BZT585B11TQ-7，Diodes产品一站式供应商。