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BZT585B9V1T-7 零件图片(仅供参考)

BZT585B9V1T-7
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BZT585B9V1T-7 规格参数

您正在寻找一颗能精准“驯服”电压、为电路核心提供坚实保护的微型卫士吗?BZT585B9V1T-7齐纳二极管正是您的理想之选。它能将电压稳定钳位在9.1V,精度高达±2%,有效防止过压冲击损坏您珍贵的IC和传感器,让您的设计从根本上告别电压波动带来的不确定性。

这颗芯片能让您轻松实现高效的电路保护与电压基准功能。其超低的功耗和宽广的工作温度范围(-65°C ~ 150°C),确保您的设备无论是置于酷暑户外还是严寒环境,都能持续稳定运行。采用微型SOD-523贴片封装,为您节省宝贵的电路板空间,特别适合追求小型化、高可靠性的便携式及物联网应用。

  • 型号:BZT585B9V1T-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 9.1V 350MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • BZT585B9V1T-7,Diodes产品一站式供应商。
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BZT585B9V1T-7 基本参数:

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