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还在为电路中的电压尖峰和波动寻找可靠的“定海神针”吗？BZT585B9V1TQ-7齐纳二极管正是您期待的解决方案。它能精准地将电压箝位在9.1V，误差范围严格控制在±2%以内，为您敏感的集成电路提供坚实的过压保护，让您的设计远离意外损坏的风险。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现电压基准生成和稳压功能。其卓越的动态阻抗（仅10Ω）和低至500nA的反向漏电流，确保了出色的负载调节性能和极低的静态功耗。无论是用于便携设备的电源管理，还是工业控制板的信号调理，它都能在-65°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作，助您构建出更高效、更耐用的电子产品。

• 型号:BZT585B9V1TQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-523
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 9.1V 350MW SOD523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
• 容差:±2%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):10 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-79，SOD-523
• 供应商器件封装:SOD-523
• BZT585B9V1TQ-7，Diodes产品一站式供应商。