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BZX84C11Q-13-F 零件图片(仅供参考)

BZX84C11Q-13-F
Diodes 订单到达,马上发货

BZX84C11Q-13-F 规格参数

您是否正在寻找一颗能精准“锚定”电压,为电路提供坚实保护的核心元件?BZX84C11Q-13-F正是为此而生。这颗11V齐纳二极管,能高效地将电压稳定在您设定的11V基准上,无论是用于电压参考、稳压还是瞬态抑制,它都能让您的电路远离过压风险,运行得更加平稳可靠。

它采用紧凑的SOT-23表面贴装封装,让您在高密度电路板设计中也能轻松布局,最大化利用空间。其低至100nA的反向泄漏电流和出色的温度稳定性,确保了极低的功耗和宽广工作温度范围内的性能一致性。选择它,就是为您的设计注入一份Diodes品质的稳定与安心。

  • 制造商产品型号:BZX84C11Q-13-F
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23
  • 系列:二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态:停产
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):11V
  • 容差:±5.45%
  • 功率-最大值:300mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 8V
  • 不同If时电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • BZX84C11Q-13-F,Diodes产品一站式供应商。
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BZX84C11Q-13-F 基本参数:

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