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BZX84C9V1-7 零件图片(仅供参考)

BZX84C9V1-7
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BZX84C9V1-7 规格参数

您正在寻找一颗能精准“锁定”电压,为电路核心提供稳定“靠山”的芯片吗?BZX84C9V1-7齐纳二极管正是您的理想选择。它能将电压稳定在9.1V,有效吸收电路中的电压尖峰和浪涌,像一位忠诚的卫士,保护您昂贵的微处理器、传感器或其他精密元件免受电压波动损害。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。其紧凑的SOT-23-3封装适合高密度电路板布局,而宽达-65°C至150°C的工作温度范围,则确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定运行。无论是用于创建简单的电压基准,还是实现高效的过压保护,它都能以极低的功耗(最大350mW)和快速响应(动态阻抗仅15Ω),让您的系统运行更高效、更可靠。

  • 型号:BZX84C9V1-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • BZX84C9V1-7,Diodes产品一站式供应商。
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BZX84C9V1-7 基本参数:

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