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D10V0H1U2LP-7B 零件图片(仅供参考)

D10V0H1U2LP-7B
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D10V0H1U2LP-7B 规格参数

还在为电路板上的敏感芯片提心吊胆吗?D10V0H1U2LP-7B瞬态电压抑制二极管,正是您期待的解决方案。它能以极高的效率吸收并消散意外的电压尖峰和浪涌能量,将威胁性的过电压瞬间钳位至安全水平,从而确保您宝贵的核心IC和电路免受静电放电(ESD)、电感负载切换等瞬态事件的损害。

这颗芯片能让您的设计工作变得无比轻松。它采用微小的0402表面贴装封装,几乎不占用宝贵的PCB空间,非常适合现代紧凑型电子产品。同时,其极低的电容(仅100pF)意味着即使在高速数据线上使用,也不会对信号完整性造成可察觉的影响。无论是保护USB端口、音频接口还是电源输入线,它都能让您的产品更坚固、更可靠,显著提升终端用户的体验满意度。

  • 型号:D10V0H1U2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 10VWM 20V X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):10V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):11.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):20V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):15A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:300W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:100pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • D10V0H1U2LP-7B,Diodes产品一站式供应商。
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D10V0H1U2LP-7B 基本参数:

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