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D3V3Q1B2DLP3-7 零件图片(仅供参考)

D3V3Q1B2DLP3-7
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D3V3Q1B2DLP3-7 规格参数

您是否正在寻找一款既能提供强大电路保护,又几乎不占用空间、不影响信号速度的解决方案?D3V3Q1B2DLP3-7正是为您而来!这颗微型TVS二极管是您电子设备的‘隐形卫士’,它能瞬间响应并吸收高达4A的峰值脉冲电流,将危险的过电压牢牢箝位在7.5V以下,有效防止静电和浪涌对精密芯片造成永久性损伤。

更令人惊喜的是,它凭借仅6pF的超低电容,让您在高频数据线路(如USB 3.0、射频端口)上应用时,完全无需担心信号衰减或失真。其宽广的-65°C ~ 150°C工作温度范围和超小的0201封装,让您能轻松将其部署在任何紧凑、严苛的环境中,从可穿戴设备到汽车电子,全面提升产品的耐用性和市场竞争力。

  • 型号:D3V3Q1B2DLP3-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X3-ESN0603-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3.3VWM 7.5V X3ESN06032
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):3.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):3.8V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):7.5V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):4A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:30W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:6pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装:X3-ESN0603-2
  • D3V3Q1B2DLP3-7,Diodes产品一站式供应商。
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D3V3Q1B2DLP3-7 基本参数:

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