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还在为电路板上的浪涌电压提心吊胆吗？让D5V0H1B2LP-7BTVS二极管成为您设计的“隐形护盾”。这颗芯片能为您做什么？它专为瞬态电压抑制而生，能以纳秒级速度响应，将威胁您敏感电路的过压尖峰牢牢箝位在安全的12.5V以下，有效防止芯片损坏和数据错误。

凭借其双向保护特性、低至85pF的电容以及0402超小封装，它能让您轻松为USB、GPIO、数据线等高速信号路径提供近乎“隐形”的保护，丝毫不影响信号完整性。无论是应对ESD静电放电还是EFT电快速瞬变，它都能稳健应对，让您的产品在各种复杂电磁环境中依然高效、可靠地运行，大幅提升终端产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:D5V0H1B2LP-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 5.5VWM X1DFN10062
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:5.5V（最大）
• 电压 - 击穿（最小值）:6V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:12.5V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:375W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:85pF @ 1MHz
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• D5V0H1B2LP-7B，Diodes产品一站式供应商。