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D8V0H1B2LP-7B 零件图片(仅供参考)

D8V0H1B2LP-7B
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D8V0H1B2LP-7B 规格参数

还在为电路板上的电压浪涌问题头疼吗?D8V0H1B2LP-7B瞬态电压抑制器就是您的高效解决方案。它能敏锐地侦测并迅速箝制突如其来的高压尖峰和静电放电,像一位忠诚的卫士,牢牢守护您电路中娇贵的IC和敏感元器件,让您的设计轻松抵御真实世界中的电气干扰。

这颗芯片专为表面贴装工艺优化,采用微小的0603封装,让您能在极其有限的空间内实现强大的电路保护,大大提升PCB布局的灵活性。选择它,意味着您为产品注入了Diodes的可靠基因,不仅能显著增强产品的耐用性和稳定性,更能让您高效地通过各类严格的电磁兼容与可靠性测试,加速产品上市进程。

  • 型号:D8V0H1B2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:-
  • 单向通道:-
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):-
  • 电压 - 击穿(最小值):-
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:-
  • 应用:-
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • D8V0H1B2LP-7B,Diodes产品一站式供应商。
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D8V0H1B2LP-7B 基本参数:

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