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DCX143EH-7 零件图片(仅供参考)

DCX143EH-7
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DCX143EH-7 规格参数

还在手动为晶体管搭配偏置电阻,既耗时又占空间?DCX143EH-7为您一站式解决!这颗创新的预偏置双晶体管阵列,在一个微小的SOT-563封装内,集成了一个NPN和一个PNP晶体管,并贴心内置了4.7千欧的基极与发射极电阻。

它能为您做什么?它让您轻松实现高效、稳定的信号放大、开关和接口转换。高达50V的耐压和100mA的驱动能力,足以应对各种低压控制场景;其低至300mV的饱和压降和出色的高频特性(250MHz),确保您的电路既节能又响应迅捷。选择它,就是选择用一颗芯片替代多个分立元件,大幅简化布局,提升生产效率和产品可靠性,让您的设计工作变得前所未有的轻松。

  • 型号:DCX143EH-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):4.7 千欧
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 10mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DCX143EH-7,Diodes产品一站式供应商。
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DCX143EH-7 基本参数:

  • 电子零件型号:DCX143EH-7
  • 原始制造厂商:Diodes
  • 技术标准参数:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
  • 点击此处查询DCX143EH-7的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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