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DDA143EH-7 零件图片(仅供参考)

DDA143EH-7
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DDA143EH-7 规格参数

还在为复杂的双晶体管偏置电路设计而头疼吗?让DDA143EH-7来解放您的创造力!这颗高度集成的双PNP预偏置晶体管阵列,内部已精准配置好基极和发射极电阻,您无需再外接任何偏置元件,即可让两个晶体管稳定工作在最佳状态,极大简化了您的电路布局,节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。

它能让您轻松实现高效的信号放大、开关控制及接口驱动。凭借50V的耐压和100mA的驱动能力,它能稳健应对多种应用场景;低饱和压降特性则确保了开关状态下的高效能与低发热。无论是用于消费电子还是工业模块,DDA143EH-7都能以微型SOT-563封装,为您提供可靠、一致且节省空间的完美解决方案,让您的产品设计更快、更稳、更精巧。

  • 型号:DDA143EH-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):4.7 千欧
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 10mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DDA143EH-7,Diodes产品一站式供应商。
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DDA143EH-7 基本参数:

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