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还在为复杂的偏置电路占用宝贵空间而烦恼吗？DDTA113TE-7-F为您提供了一站式解决方案！这颗由Diodes Incorporated推出的预偏置PNP晶体管，内部集成了1 kOhm基极电阻，让您彻底告别外部偏置元件的繁琐，轻松实现简洁高效的电路设计。

它能让您的产品运行得更顺畅、更节能。凭借高达100mA的集电极电流、50V的耐压以及低至300mV的饱和压降，它能确保信号放大与开关控制既稳定又高效。其微小的SOT-523封装和仅150mW的功耗，特别适合空间受限的便携式设备和物联网应用，帮助您轻松打造更紧凑、续航更持久的产品。

无论是驱动小功率负载、管理电源开关，还是作为接口电路中的关键放大元件，DDTA113TE-7-F都能以卓越的性能和极高的可靠性，让您的设计事半功倍，加速产品从概念到市场的进程。

• 型号:DDTA113TE-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:仅 R1
• 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 1mA，10mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁:250 MHz
• 功率 - 最大值:150 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-523
• 供应商器件封装:SOT-523
• DDTA113TE-7-F，Diodes产品一站式供应商。