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DDTA114GE-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTA114GE-7-F
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DDTA114GE-7-F 规格参数

还在为设计紧凑的开关或放大电路而费心搭配电阻和晶体管吗?DDTA114GE-7-F为您提供了一个优雅的一体化解决方案!这颗预偏置PNP晶体管内部集成了精准的偏置电阻,让您无需外部元件即可轻松实现稳定的电路偏置,极大简化了您的设计流程,并节省了宝贵的电路板空间。

它能为您高效完成信号切换、接口电平转换或小功率驱动等任务。凭借高达50V的耐压和100mA的驱动能力,配合低至300mV的饱和压降,它能确保您的应用高效运行且能耗更低。其微型SOT-523封装,更是为追求极致紧凑的现代电子产品量身定制。

选择它,就是选择了一个省心、省空间且性能可靠的现成模块,让您能更专注于核心功能的创新与实现。

  • 型号:DDTA114GE-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • DDTA114GE-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTA114GE-7-F 基本参数:

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