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DDTA114GKA-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTA114GKA-7-F
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DDTA114GKA-7-F 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗?DDTA114GKA-7-F正是为您解忧的智能之选。这颗预偏置PNP晶体管,将偏置电阻集成于微小的SOT-23-3封装之内,能直接替代传统的“晶体管+电阻”分立组合,让您的设计瞬间变得简洁高效,轻松节省高达30%的布局空间。

它专为驱动继电器、LED或作为精密放大器的有源负载而优化。其出色的参数50V耐压、100mA驱动能力、低至500nA的截止电流以及快速的开关特性,确保您的应用既能稳定运行于苛刻环境,又能实现优异的能效表现。选择它,就是选择了一种更可靠、更省心的电路实现方式,让您的产品开发事半功倍。

  • 型号:DDTA114GKA-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SC-59-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SC-59-3
  • DDTA114GKA-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTA114GKA-7-F 基本参数:

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