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DDTB113ZC-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTB113ZC-7-F
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DDTB113ZC-7-F 规格参数

还在为设计偏置电路而耗费精力吗?让DDTB113ZC-7-F来改变这一切!这颗创新的预偏置PNP晶体管,内部集成了精准的电阻网络,为您省去外部偏置元件的选型和布局烦恼,让电路设计变得前所未有的简洁高效。

它能为您做什么?这颗芯片集成了50V/500mA的强劲开关与放大能力,同时具备低至300mV的饱和压降和高达200MHz的响应速度。无论是用于信号切换、负载驱动还是电平转换,它都能让您的系统运行更稳定、能效更出色。其微小的SOT-23-3封装,更是为空间紧凑的现代电子产品量身定制,助您轻松实现高密度、高可靠性的设计目标。

  • 型号:DDTB113ZC-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DDTB113ZC-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTB113ZC-7-F 基本参数:

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