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DDTB114GU-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTB114GU-7-F
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DDTB114GU-7-F 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗?DDTB114GU-7-F正是为您解忧的利器!这颗集成了预偏置电阻的PNP晶体管,能轻松为您实现高效的小信号放大与高速开关控制。它内置10kΩ电阻,让您省去外部偏置电路,直接简化设计、节省宝贵空间。

凭借500mA的集电极电流能力和50V的高耐压,它能让您的产品,无论是便携音频设备还是智能传感器,都运行得更稳定、更强劲。其SOT-323微型封装和200mW的功率处理能力,特别适合高密度板级设计,助您打造更小巧、更精良的电子产品。选择它,就是选择了一条通往高效、可靠设计的捷径。

  • 型号:DDTB114GU-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • DDTB114GU-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTB114GU-7-F 基本参数:

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