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DDTB114TU-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTB114TU-7-F
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DDTB114TU-7-F 规格参数

还在为电路板空间紧张和设计复杂而头疼吗?让DDTB114TU-7-F来为您化繁为简!这颗来自Diodes的预偏置PNP晶体管,内部集成了基极电阻,让您无需再为外部电阻的选型和布局费心,轻松实现简洁、高效的电路设计。

它能在高达50V电压和500mA电流下稳定工作,具备出色的放大能力(hFE最小值100)和极低的饱和压降,确保信号处理高效、损耗微小。其SOT-323超小封装,专为空间受限的现代电子产品而生,无论是驱动小型电机、管理电源开关,还是进行信号调理,都能让您的设计更紧凑、性能更可靠。

  • 型号:DDTB114TU-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • DDTB114TU-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTB114TU-7-F 基本参数:

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