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还在为晶体管外围的偏置电阻网络而烦恼吗？DDTB123EC-7-F将彻底改变您的设计体验。这颗预偏置PNP晶体管，内部集成了精确的2.2 kOhms基极和发射极电阻，让您无需再为分立电阻的选型、布局和精度匹配而耗费精力，直接实现“即插即用”的稳定偏置。

它能为您做什么？它让您轻松构建高效、紧凑的放大或开关电路。凭借500mA的驱动能力、50V的耐压以及低至300mV的饱和压降，它能确保您的负载开关或信号驱动环节高效、可靠地运行，同时将功耗控制在极低水平。其SOT-23-3的超小封装，更是为空间受限的现代电子产品量身定制，助您实现更高密度的电路设计，全面提升产品的市场竞争力。

• 型号:DDTB123EC-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:R1 和 R2
• 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:39 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
• 频率 - 跃迁:200 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• DDTB123EC-7-F，Diodes产品一站式供应商。