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还在手动为晶体管配置偏置电路？DDTB123EU-7-F为您彻底解决这个难题！这颗创新的预偏置PNP晶体管，内部已集成精密电阻，让您无需外部分立元件即可快速构建稳定、高效的开关或放大电路，极大简化了设计步骤，节省了宝贵的电路板空间。

它能轻松处理高达500mA的电流和50V的电压，并以低至300mV的饱和压降实现高效功率切换，显著减少能量损耗。同时，高达200MHz的过渡频率确保了对高速信号的出色响应能力。无论是驱动负载、信号调理还是接口控制，DDTB123EU-7-F都能以微型SOT-323封装之躯，为您的产品注入强大而可靠的性能核心，让设计更高效，产品更具竞争力。

• 制造商产品型号：DDTB123EU-7-F
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
• 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：PNP - 预偏压
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
• 电压-集射极击穿（最大值）：50V
• 电阻器-基极(R1)：2.2 kOhms
• 电阻器-发射极(R2)：2.2 kOhms
• 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：39 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流-集电极截止（最大值）：500nA
• 频率-跃迁：200MHz
• 功率-最大值：200mW
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-70，SOT-323
• DDTB123EU-7-F，Diodes产品一站式供应商。