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还在为复杂的晶体管偏置电路烦恼吗？让DDTB123TC-7-F来改变这一切！这颗创新的预偏置PNP晶体管，内部集成了精准的2.2 kΩ电阻，为您省去外部偏置元件的设计和布局，让电路设计变得前所未有的简洁高效。

它拥有50V的高耐压和500mA的强电流驱动能力，配合低至300mV的饱和压降，能确保您的信号放大或开关控制动作既强劲又节能。高达200MHz的跃迁频率，让它在处理中高速信号时也游刃有余。无论是用于电源管理、LED驱动还是接口信号调理，它都能让您的系统性能更稳定，设计更轻松。

采用标准的SOT-23-3封装，它完美契合现代自动化贴装生产，助力您快速实现产品量产。选择DDTB123TC-7-F，就是选择了一条通往更高可靠性、更低成本与更短开发周期的捷径。

• 制造商产品型号：DDTB123TC-7-F
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
• 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：PNP - 预偏压
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
• 电压-集射极击穿（最大值）：50V
• 电阻器-基极(R1)：2.2 kOhms
• 电阻器-发射极(R2)：-
• 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 5mA，5V
• 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
• 频率-跃迁：200MHz
• 功率-最大值：200mW
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DDTB123TC-7-F，Diodes产品一站式供应商。