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DDTC114GE-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTC114GE-7-F
Diodes 订单到达,马上发货

DDTC114GE-7-F 规格参数

还在为电路板上的分立电阻和晶体管匹配而耗费时间吗?DDTC114GE-7-F正是为您而来的集成化解决方案。这颗由Diodes Incorporated打造的预偏置NPN晶体管,内部已精密集成了必要的偏置电阻,让您能够轻松实现信号放大或开关功能,无需再为外部元件的选型和布局烦恼。

它就像一个即插即用的“电路模块”,能显著简化您的设计流程,减少物料清单(BOM)数量,并最大限度地节省宝贵的PCB空间。无论是用于驱动小型负载,还是作为数字逻辑接口,它都能提供稳定可靠的性能,让您的产品设计更高效、更紧凑,生产一致性也得到大幅提升。

  • 型号:DDTC114GE-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • DDTC114GE-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTC114GE-7-F 基本参数:

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