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DDTC115GE-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTC115GE-7-F
Diodes 订单到达,马上发货

DDTC115GE-7-F 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗?DDTC115GE-7-F就是您期待的答案。这颗来自Diodes的预偏置NPN晶体管,将偏置电阻内置其中,为您省去外部元件的繁琐,直接实现精简、高效的电路设计。

它能让您轻松驾驭高达100mA的电流和50V的电压,在5V/5mA条件下提供至少82倍的稳定电流增益,确保信号放大精准有力。同时,其低至300mV的饱和压降和250MHz的高频特性,让您的设备无论是进行功率开关还是信号处理,都能实现快速响应与低能耗运行。

最终,所有这些强大功能都集成于微型的SOT-523封装内,极大节省您的布局空间,让产品设计更紧凑、生产更高效。选择它,就是选择了一条通往高性能、高可靠性的设计捷径。

  • Diodes公司完整型号:DDTC115GE-7-F
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):-
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):100k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • DDTC115GE-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTC115GE-7-F 基本参数:

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