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DDTC115TKA-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTC115TKA-7-F
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DDTC115TKA-7-F 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗?DDTC115TKA-7-F这颗预偏置NPN晶体管,就是为您解放空间、简化设计的秘密武器。它将晶体管与基极电阻完美集成,让您轻松省去外部偏置电阻,直接实现高效、稳定的信号放大与开关控制。

这颗芯片能为您做什么?它凭借高达50V的耐压和100mA的集电极电流能力,让您在各种低压控制与驱动场景中信心十足。其优异的直流增益和低饱和压降特性,确保了信号处理的精准与高效,同时将功耗降至更低。无论是驱动LED、管理负载开关,还是完成精密的电平转换,它都能以微型SOT-23-3封装之躯,发挥出超越体积的强大性能,让您的产品设计更加紧凑、高效且可靠。

  • 型号:DDTC115TKA-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SC-59-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):100 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 100A,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SC-59-3
  • DDTC115TKA-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTC115TKA-7-F 基本参数:

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