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DDTC143ZE-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTC143ZE-7-F
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DDTC143ZE-7-F 规格参数

还在手动为晶体管配置偏置电阻吗?DDTC143ZE-7-F为您彻底解决这个难题!这颗创新的预偏置NPN晶体管,内部集成了精确的电阻网络,直接为您提供优化的工作点,让您轻松实现稳定的小信号放大或高速开关控制,极大简化电路设计。

它能让您的设计飞驰。凭借高达50V的耐压、100mA的电流驱动能力以及250MHz的响应速度,无论是处理传感器微弱的模拟信号,还是驱动数字负载进行快速开关,它都能高效、可靠地完成任务。其超低的饱和压降意味着更少的能量损耗,让您的产品更节能。

最终,这颗仅需150mW功耗、采用微型SOT-523封装的芯片,将帮助您大幅节省PCB空间,减少物料种类,并提升整机生产的一致性与可靠性。选择它,就是选择了一条更高效、更省心的产品开发路径。

  • 型号:DDTC143ZE-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250A,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
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DDTC143ZE-7-F 基本参数:

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