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还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗？DDTD113ZU-7-F就是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的预偏置NPN晶体管，将关键的偏置电阻（1kΩ基极电阻与10kΩ发射极电阻）集成于微型SOT-323封装之内，让您轻松实现紧凑、高效的开关与放大功能，彻底告别外部电阻的选型和布局烦恼。

它能够为您做什么？它让您以极简的设计，可靠地控制高达500mA的电流和50V的电压。其低至300mV的饱和压降意味着更低的功率损耗和更高的效率，而200MHz的跃迁频率则确保了信号的快速响应与完整性。无论是用于便携设备的电源管理，还是作为数字信号的驱动接口，它都能让您的系统运行更稳定、更节能。

选择DDTD113ZU-7-F，就是选择了一站式的解决方案。它简化了您的物料清单（BOM），加速了开发进程，并以其200mW的功率处理能力和优异的DC电流增益，为您的产品注入持久可靠的性能核心。

• 型号:DDTD113ZU-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:R1 和 R2
• 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:56 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
• 频率 - 跃迁:200 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
• DDTD113ZU-7-F，Diodes产品一站式供应商。