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还在为电路板上拥挤的电阻和晶体管发愁吗？DDTD122JU-7-F这颗创新的预偏置晶体管，专为简化您的设计而生。它将NPN晶体管与精准匹配的基极、发射极电阻集成于微小的SOT-323封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路布局，彻底告别繁琐的分立元件选型和匹配工作。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松构建高效、可靠的信号放大与开关电路。凭借高达500mA的驱动能力和50V的耐压，无论是驱动负载还是处理小信号都游刃有余。其内置的偏置网络确保了稳定的工作点，让您的设计性能一致，生产良率大幅提升。选择它，就是选择了一条通往更简洁、更可靠产品设计的捷径。

• 制造商产品型号：DDTD122JU-7-F
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
• 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：NPN - 预偏压
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
• 电压-集射极击穿（最大值）：50V
• 电阻器-基极(R1)：220 Ohms
• 电阻器-发射极(R2)：4.7 kOhms
• 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：47 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流-集电极截止（最大值）：500nA
• 频率-跃迁：200MHz
• 功率-最大值：200mW
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-70，SOT-323
• DDTD122JU-7-F，Diodes产品一站式供应商。