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DDTD122TC-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTD122TC-7-F
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DDTD122TC-7-F 规格参数

还在为电路板空间紧张和设计繁琐而头疼吗?DDTD122TC-7-F这颗预偏置NPN晶体管,就是为您量身打造的解决方案。它将晶体管与必要的基极偏置电阻(220 Ohms)集成于微小的SOT-23-3封装内,让您轻松实现紧凑布局,彻底告别外部电阻的选型和布局烦恼。

这颗芯片能为您做什么?它能让您高效驱动高达500mA的负载,并承受50V电压,胜任开关、放大和接口转换等多种任务。其优异的性能参数,如高达100的直流电流增益和仅300mV的低饱和压降,确保了信号的高保真度和低功耗运行。无论是用于点亮LED阵列、驱动小型继电器,还是作为数字信号的缓冲器,它都能让您的设计更简洁、更可靠、性能更出众。

  • 型号:DDTD122TC-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):220 Ohms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DDTD122TC-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTD122TC-7-F 基本参数:

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