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还在为电路中的电压基准不够精准稳定而烦恼吗？DDZX9V1C-13正是您需要的答案！这颗精密齐纳二极管的核心使命，就是为您提供一个高达9.1V、容差仅±3%的“电压锚点”，让您的设计从此告别电压漂移的困扰。

它能轻松胜任电压钳位、基准源生成以及瞬态电压抑制等多种关键任务。其低至8欧姆的动态阻抗和超低的反向泄漏电流，让您的系统运行更高效、更节能。无论是严苛的工业环境还是精密的消费电子，它都能凭借宽广的工作温度范围和紧凑的SOT-23封装，让您以极小的空间成本，收获巨大的可靠性提升。

• 型号:DDZX9V1C-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 9.1V 300MW SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
• 容差:±3%
• 功率 - 最大值:300 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):8 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• DDZX9V1C-13，Diodes产品一站式供应商。