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还在为功率开关管的驱动速度不够快、损耗大而烦恼吗？DGD0280WT-7高压栅极驱动器专为解决此类痛点而生。它能让您轻松驾驭IGBT和MOSFET，凭借高达2.8A/2.5A的强劲输出电流与纳秒级的开关速度，显著降低开关损耗，提升系统整体能效与功率密度。

这颗芯片采用紧凑的SOT-23-5封装，却拥有4.5V至18V的宽供电范围与卓越的-40°C至125°C工作温度性能，确保您的设计在各类应用场景中都能稳定可靠。无论是工业驱动、电源转换还是LED照明，选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心驱动力。

• 型号:DGD0280WT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-5
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:低端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.8A
• 输入类型:CMOS，TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:20ns，15ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
• 供应商器件封装:TSOT-23-5
• DGD0280WT-7，Diodes产品一站式供应商。