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还在为寻找一颗能同时兼顾强劲驱动力和紧凑尺寸的栅极驱动器而烦恼吗？DGD05062FN-7正是为您而来的解决方案。它内置两个同步通道，能高效驱动N沟道MOSFET，其高达2.5A的拉出电流和1.5A的灌入电流，让您能轻松、精准地控制功率开关，大幅提升系统效率。

这颗芯片能在8V至14V的宽电压范围内稳定工作，并耐受高达50V的自举电压，确保在各种应用场景下的可靠性。其非反相输入逻辑与极快的开关速度（典型上升/下降时间仅17ns和12ns），让您的设计更简单，响应更迅捷。选择它，就是为您的电源管理方案选择了一位高效、可靠且节省空间的得力助手。

• 型号:DGD05062FN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:8V ~ 14V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:17ns，12ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10
• DGD05062FN-7，Diodes产品一站式供应商。