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还在为寻找一颗能同时兼顾高效、可靠与易用性的栅极驱动器而烦恼吗？DGD0506FN-7正是为您量身打造的解决方案。这颗半桥驱动器专为驱动N沟道MOSFET设计，拥有高达50V的自举电压和强劲的2.5A拉出/1.5A灌入峰值电流，能让您的MOSFET开关动作既迅速又干净，大幅提升电源转换效率。

它采用非反相输入逻辑，兼容常见的控制信号，让您的系统集成变得异常轻松。其超快的17ns上升和12ns下降时间，显著减少了开关损耗，而宽广的-40°C至150°C工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择DGD0506FN-7，就是为您的电机驱动、电源转换或逆变系统注入一颗高效强劲的“心脏”。

• 型号:DGD0506FN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10（TH 类）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:8V ~ 14V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:17ns，12ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10（TH 类）
• DGD0506FN-7，Diodes产品一站式供应商。