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还在为复杂的MOSFET驱动电路而烦恼？DGD0507AFN-7栅极驱动器就是您的高效解决方案。这颗芯片能为您精准、高速地驱动N沟道MOSFET，其强大的2A拉出和1.5A灌入峰值电流，配合极短的开关时间，可显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它专为半桥拓扑优化，支持宽范围供电电压与工业级温度工作，兼容CMOS/TTL输入逻辑，让您的设计集成变得异常轻松。无论是提升现有方案的性能，还是开发新一代高密度电源，DGD0507AFN-7都能让您以更少的精力，获得更可靠、更出色的驱动表现。

• 型号:DGD0507AFN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:8V ~ 14V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:16ns，18ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10
• DGD0507AFN-7，Diodes产品一站式供应商。