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还在为驱动大功率MOSFET时遇到的开关延迟和驱动能力不足而烦恼吗？DGD0507FN-7正是为您解决这些痛点的利器。这颗高效的半桥栅极驱动器，拥有2.5A拉出和1.5A灌入的强劲峰值电流，能瞬间完成对N沟道MOSFET的充放电，让您的电源开关动作干净利落，极大提升整体转换效率。

它为您提供了极高的设计自由度。独立的双通道、非反相输入以及高达50V的自举电压，让您能轻松构建稳定可靠的半桥电路。无论是面对工业环境的严苛温度（-40°C ~ 150°C TJ），还是需要在紧凑的10-WFDFN封装内实现高性能，它都能游刃有余，助您打造出更小、更快、更可靠的电源管理系统。

• 型号:DGD0507FN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:8V ~ 14V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:23ns，18ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10
• DGD0507FN-7，Diodes产品一站式供应商。