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还在为电源转换效率的细微提升而绞尽脑汁吗？DGD05463FN-7就是您期待的答案。这颗高性能半桥栅极驱动器，能为您高效、可靠地驱动N沟道MOSFET，是电机控制、服务器电源和工业变频器等应用的理想核心。

它拥有2.5A拉出和1.5A灌入的强大峰值电流输出能力，配合纳秒级的快速开关特性，能显著降低开关损耗，让您的系统整体能效跃上新台阶。宽电压工作范围与全面的保护特性，确保它在各种复杂环境下稳定运行，让您的设计更省心，产品更具竞争力。

• 型号:DGD05463FN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 14V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.5A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:17ns，12ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10
• DGD05463FN-7，Diodes产品一站式供应商。