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还在为驱动MOSFET时遇到的开关延迟和驱动能力不足而烦恼吗？DGD1503S8-13将彻底改变您的体验。这颗高效半桥栅极驱动器，能为您提供强劲的600mA拉电流和290mA灌电流输出，以极快的70ns/35ns开关速度，让您的MOSFET高效、干净地完成切换，显著降低开关损耗，提升整个电源或电机驱动系统的效率。

它支持10V至20V的宽供电电压，高压侧更可承受高达250V的电压，兼容性极强，让您在设计时游刃有余。无论是驱动工业电机、电动工具还是各类泵阀，DGD1503S8-13都能以独立的通道控制和灵活的输入逻辑，确保系统运行稳定可靠，助您轻松构建高性能的功率驱动解决方案。

• 型号:DGD1503S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:反相，非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:250 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD1503S8-13，Diodes产品一站式供应商。