我们为全球各个行业提供Diodes DGD2101S8-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为驱动电路的速度和可靠性担忧吗？DGD2101S8-13就是您期待的答案。这颗高性能半桥栅极驱动器，专为驾驭IGBT和N沟道MOSFET而生，它能以高达600mA的拉出电流和290mA的灌入电流，为您提供强劲、精准的开关控制，确保您的功率器件发挥出最大效能。

它让您的设计变得无比轻松。其10V至20V的宽供电范围、兼容性极强的逻辑输入电平（0.8V/2.5V），以及独立的高低侧通道，让您能灵活适配各种控制信号与拓扑结构。无论是应对-40°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定工作，其极快的开关速度（典型值70ns/35ns）更能帮助您大幅提升系统效率，降低能耗。

• 型号:DGD2101S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2101S8-13，Diodes产品一站式供应商。