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还在为驱动高压侧功率开关而设计复杂的隔离电路吗？DGD21032S8-13半桥栅极驱动器为您提供了一站式解决方案。它内置自举电路，可轻松支持高达600V的母线电压，让您用简单的电路就能高效、可靠地驱动IGBT或MOSFET，彻底告别繁琐。

这颗芯片拥有两个独立通道，峰值输出电流分别达到600mA（拉出）和290mA（灌入），开关速度极快。这意味着它能为您提供强劲而干净的驱动信号，显著降低开关损耗和热设计压力，从而让您的电机驱动、电源转换系统运行得更凉爽、更高效、更持久。

• 型号:DGD21032S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:反相，非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD21032S8-13，Diodes产品一站式供应商。