我们为全球各个行业提供Diodes DGD21084S14-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高速开关场景的驱动芯片吗？DGD21084S14-13正是您的理想之选。这颗半桥栅极驱动器专为驱动IGBT和MOSFET设计，其高达600V的自举电压和10V-20V的宽供电范围，让您能从容应对工业电机驱动、电源转换等高压应用挑战。

它集成了两个独立通道，提供强劲的600mA拉电流和200mA灌电流，配合快速的开关速度，能显著提升您的系统效率并降低损耗。紧凑的14-SOIC封装和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C），更让您的设计在追求高性能的同时，兼顾了可靠性与空间布局的灵活性。

• 型号:DGD21084S14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.6V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• DGD21084S14-13，Diodes产品一站式供应商。