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还在为驱动电路的设计复杂和效率瓶颈而烦恼吗？DGD2110S16-13正是为您而来的解决方案。这颗高性能半桥栅极驱动器，能轻松驾驭高达500V的电压平台，并以2.5A的强大电流快速、精准地驱动您的MOSFET或IGBT开关，让您的电源系统反应如电光火石般迅捷。

它为您简化了一切。独立的双通道和非反相输入设计，让电路布局清晰直观；从-40°C到150°C的广阔工作温度范围，则赋予您产品无惧严寒酷暑的可靠品质。选择它，就是选择用一颗高度集成的芯片，取代复杂的离散驱动方案，从而让您更高效地完成设计，更快地将稳定、高效的产品推向市场。

• 型号:DGD2110S16-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:16-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:6V，9.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V
• 上升/下降时间（典型值）:15ns，13ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SO
• DGD2110S16-13，Diodes产品一站式供应商。