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还在为驱动电路的设计复杂度和可靠性担忧吗？DGD2113S16-13就是您的高效解决方案。这颗半桥栅极驱动器专为驱动IGBT和MOSFET设计，拥有2.5A的强大拉灌电流能力，配合纳秒级的开关速度，能显著降低功率器件的开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它为您简化了一切。高达600V的自举电压和独立通道设计，让您轻松构建可靠的高低压侧驱动；宽广的供电与逻辑电压范围，则让系统集成变得异常轻松。无论是工业变频器、UPS还是服务器电源，选择DGD2113S16-13，就是选择了一个性能强劲、稳定可靠的核心驱动伙伴，助您快速将创意转化为成熟可靠的产品。

• 型号:DGD2113S16-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:16-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:6V，9.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:15ns，13ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SO
• DGD2113S16-13，Diodes产品一站式供应商。