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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关，同时保证系统高效稳定运行的驱动核心吗？DGD2117S8-13正是您期待的答案。这颗高端单通道栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，拥有高达600V的自举电压和强劲的600mA拉电流输出能力，让您的功率器件实现快速、干净的开关，显著提升整机效率。

它采用10V至20V宽压供电，具备明确的逻辑阈值和极短的开关延时（上升/下降时间典型值75ns/35ns），让您的设计接口更简单，系统响应更迅捷。其坚固的8-SOIC封装和-40°C至150°C的宽工作温度范围，更能确保它在各种严苛环境下稳定工作，是您打造高可靠性工业电源、电机驱动或新能源逆变设备的理想选择。

• 型号:DGD2117S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:6V，9.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2117S8-13，Diodes产品一站式供应商。