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还在为驱动大功率MOSFET或IGBT寻找一颗得力的“心脏起搏器”吗？DGD2181MS8-13正是您的高效解决方案。这颗半桥栅极驱动器能为您提供强劲而精准的驱动脉冲，其高达2.3A的拉电流能力，让您能轻松、快速地开启功率开关，显著提升系统开关频率与整体能效。

它专为严苛环境设计，支持高达600V的母线电压，并能在150°C的高结温下稳定工作，确保您的工业电源、电机驱动或新能源设备在各种挑战下都可靠运行。采用紧凑的8-SOIC封装，让您能高效利用板级空间，加速产品设计进程。

• 型号:DGD2181MS8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO 类 TH
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO 类 TH
• DGD2181MS8-13，Diodes产品一站式供应商。