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还在寻找一颗能同时驾驭速度与力量的栅极驱动器吗？DGD2181S8-13正是您期待的答案。这颗芯片能为您高效驱动IGBT和MOSFET，其高达2.3A的拉出电流和1.9A的灌入电流，确保功率开关管快速、干净地导通与关断，从而大幅降低开关损耗，提升整个电源或电机驱动系统的效率。

它采用独立的半桥驱动配置，为您在电机控制、逆变器和开关电源等应用中提供了极大的设计灵活性。宽达10V至20V的供电范围、兼容性强的逻辑输入以及从-40°C到150°C的广阔工作温度区间，让您能够轻松应对各种复杂的应用环境和严苛的可靠性要求。选择DGD2181S8-13，就是为您的核心功率电路注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DGD2181S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2181S8-13，Diodes产品一站式供应商。