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DGD21844MS14-13 零件图片(仅供参考)

DGD21844MS14-13
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DGD21844MS14-13 规格参数

还在为如何高效、可靠地驱动您的半桥功率电路而寻找答案吗?DGD21844MS14-13这颗高性能栅极驱动器,就是为您量身打造的解决方案。它能同时驱动两个通道,轻松驾驭IGBT和N沟道MOSFET,凭借10V至20V的宽范围供电电压和优异的开关速度,让您的电机驱动、电源转换系统运行得更快、更稳、更节能。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计化繁为简。它集成了强大的峰值输出电流能力,并拥有高达600V的隔离耐压和150°C的工作结温,确保在恶劣环境下依然表现卓越。选择它,意味着您能大幅简化外围电路,提升系统可靠性,并加速产品开发进程,轻松实现高性能与高性价比的完美平衡。

  • 型号:DGD21844MS14-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:14-SO TH 型
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2.5V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.4A,1.8A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:14-SO TH 型
  • DGD21844MS14-13,Diodes产品一站式供应商。
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DGD21844MS14-13 基本参数:

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