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还在寻找那颗能同时驾驭速度与力量的“心脏”吗？DGD21844S14-13半桥栅极驱动器就是您的答案。它能为您高效、可靠地驱动IGBT和MOSFET，凭借高达1.8A/1.4A的强劲输出电流和纳秒级的开关速度，显著降低系统开关损耗，直接提升整体能效。

这颗芯片让您的设计工作变得异常轻松。其宽电压供电范围（10V-20V）和标准的逻辑输入阈值，确保了与各种控制器的完美兼容，简化电路设计。同时，高达600V的自举电压和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ），为您应对高压环境和严苛工况提供了坚实的保障，是打造高可靠性工业与汽车应用的理想选择。

• 型号:DGD21844S14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• DGD21844S14-13，Diodes产品一站式供应商。