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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？DGD2184MS8-13正是您期待的解决方案。这颗高效的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能将您的控制信号迅速、有力地转换为功率开关的精准动作，从而让您的电机驱动、电源转换系统运行得更快、更冷、更可靠。

它拥有高达1.8A/1.4A的驱动能力与纳秒级的开关速度，能显著降低开关损耗，直接提升整体能效。宽电压供电与高达600V的自举电压设计，为您提供了极大的设计灵活性和安全裕度。选择它，意味着您选择了一条通往更高性能、更简设计和更快上市时间的捷径。

• 型号:DGD2184MS8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO 类 TH
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO 类 TH
• DGD2184MS8-13，Diodes产品一站式供应商。